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文章摘要： 臺積電將開始5nm的 EUV的試產但已公佈EUV工藝能提升20%電晶體密度
原標題：臺積電：7nm EUV流片成功，相比初代7nm再度提升15%效能
全球知名的半導體代工廠今天宣佈其的2個重要突破，第一是其首次完成了7nm EUV工藝的流片工作，第二是其5nm 工藝將在2019年4月進行試產。
雖然臺積電已經在今年4月開始量產全球最為先進的7nm技術，但其並非使用EUV技術，仍採用傳統的DUV，不過這個「假冒7nm」相比10nm 依然有接近40%的功效提升、15%的效能提升和37%的核心面積縮小。目前，麒麟980、蘋果A12、驍龍855和AMD下一代CPU/GPU都將採用這個技術製造和量產。
7nm EUV的應用，能繼續提升並挖掘7nm的潛力，雖然目前並未公佈更多資料，但已公佈EUV工藝能提升20%電晶體密度，並降低6%-12%的同頻功耗。
而且7nm挖掘殆盡之後，臺積電將開始5nm的 EUV的試產，有望在2020年Q2季度完成量產，並應用在各家旗艦平臺上。5nm的電晶體密度將提升80%，同功耗下頻率再度提升15%。返回搜狐，檢視更多
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